三菱表示，通过该模型模拟出的高速开关波形与实际测量结果几乎一模一样，这种度从目前看来，是行业内其他技术所无法比拟的，有望为电力转换器带来更高效的电路设计。

　　同时，也计划在之后继续为其增加几个与温度相关的参数，使SPICE模型在高温下也能正常运行。

　　这项技术会被应用于N系列1200V碳化硅MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)样品中，该样品将从7月开始发货。碳化硅MOSFET是三菱电机于今年六月中旬推出的新产品，它能够根据施加在栅极上的电压来控制从漏极到源极的电流(漏极电流)，实现快速的开关操作，降低操作损耗，不仅适用于光伏系统等工业应用，应用范围还包括电动汽车车载充电器等等。

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